該團隊利用高溫液相法，實現了相同過飽和度條件下3C-SiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生長過程中的相變，在國際上首次生長出了直徑2-4英寸、厚度4-10mm、單一晶型的3C-SiC單晶

碳化硅外延石墨烯是制備石墨烯基器件的優選方案

了解SiC單晶生長用高純碳化硅粉體合成工藝。

2月27日，據外媒報道，Meta首款AR眼鏡預計將于今年秋天發布，這款AR眼鏡采用碳化硅（SiC）鏡片。

碳化硅單晶生長用高純SiC粉料，其合成有哪些因素影響？

六方半導體聚焦碳化硅涂層技術，突破國外技術壟斷，實現了碳化硅涂層產品在半導體領域的部分國產替代。

平煤神馬集團碳化硅半導體實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶晶錠。

越是高端的先進陶瓷原材料，越要自己研發生產

邀請到天津理工大學功能晶體研究院徐永寬副院長做客對話欄目。

“四高兩涂”將不斷為SiC單晶生產鏈提供高純原料和耗材的配備。

由于PVT法在制造大尺寸SiC晶體和降低成本方面遇到挑戰，液相法重新引起了業界的關注。

SiC晶體生長的主要技術包括物理氣相輸運（PVT）法、高溫化學氣相沉積（ HTCVD）法，以及頂部籽晶溶液生長（TSSG）法。

SiC具有寬帶隙、高臨界擊穿場強、高熱導率、高載流子飽和遷移率等優點，是半導體材料領域中較有前景的材料之一。

天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量更好的滿足客戶的需求目前可批量供應6英寸產品8英寸產品正在研發中基本信息導電型晶型4H直徑（mm）150偏角（°）4厚度（μm）350表面狀態Epi-ready

根據客戶生產的碳化硅晶體類型，可以提供原材料的定制服務，晶體原材料的規格和技術要求，請與我公司銷售部門聯系。

碳化硅單晶生長爐主要應用于生長6英寸N型及半絕緣碳化硅單晶襯底。碳化硅單晶具有高熱導率、高化學穩定性、低熱膨脹、高飽和電子漂移率等優點，在白光高效照明、電力輸送與轉換、耐高溫電力電子器件等民用領域應用廣泛，同時在雷達通訊、航空母艦、艦舶等軍事領域可提高軍事電子系統和武器裝備的性能，有著明確應用背景。

高純硅粉呈金屬光澤質地、銀灰色粉末狀高質量工業原材料。硅含量99.9%-99.9999%，又稱3N-6N。我公司在福建永安擁有高純硅粉研發中心，主要從事金屬硅粉、高純硅粉3N～6N（99.9%-99.9999%）的研發和生產，致力于提供低成本、高品質、低能耗的綠色環保硅材料，在硅材料領域擁有豐富的生

高純硅粉CX-S1高純硅粉純度高（4N），雜質含量低，粒度分布均勻，可應用于電子封裝、電氣絕緣、電子元器件以及超大規模集成電路、高性能陶瓷、油漆涂料、精密鑄造、硅橡膠、航空航天、汽車等領域。